توضیحات
7MBR25SA120
7MBR25SA120 ترانزیستور دو قطبی با درگاه عایق‌شده یا IGBT (کوتاه شده عبارت انگلیسی Insulated gate bipolar transistor) جز نیمه هادی قدرت بوده و در درجه اول به عنوان یک سوئیچ الکترونیکی استفاده می شود که در دستگاه های جدید برای بازده بالا و سوئیچینگ سریع استفاده میشود.
در فرکانسهای بالای کلیدزنی از یک ترانزیستور جهت کنترل سطح ولتاژ DC استفاده میشود. با بالا رفتن فرکانس ترانزیستور دیگر خطی عمل نمی‌کند و نویز مخابراتی شدیدی را با توان بالا تولید میکند.به همین سبب در فرکانس کلیدزنی بالا از المان کم مصرف power MOSFET استفاده میشود.
اما با بالا رفتن قدرت،تلفات آن نیز زیاد میشود.المان جدیدی به بازار آمده است که تمامی مزایای 2قطعه فوق را دارد و دیگر معایب BJT و POWER MOSFET را ندارد.این قطعه جدید IGBT نام دارد.در طی سالهای اخیر بدلیل ارزانی و مزایای این قطعه از آن استفاده زیادی شده است.
آی جی بی تی IGBT (ترانزیستور دو قطبی با گیت عایق شده) یک نیمه هادی جدید و کاملاً صنعتی است که از ترکیب 2 نوع ترانزیستور BJT و MOSFET ساخته شده است.بطوریکه از دید ورودی شما یک MOSFET را میبینید و از نظر خروجی یک BJT. BJTها و MOSFETها دارای خصوصیاتی هستند که از نقطه نظرهایی یکدیگر را تکمیل میکنند.بی جی تی BJT ها در حالت روشن(وصل) دارای تلفات هدایتی کمتری هستند درحالیکه زمان سوئیچینگ آنها به خصوص در زمان خاموش شدن طولانی تر است.
مشخصات فنی 7MBR25SA120
- ماژول 7Pack-IGBT
- قابلیت تحمل جریان 25 آمپری IGBT ها
- قابلیت تحمل ولتاژ 1200 ولتی
- دارای ترمیستور داخلی
- دارای پل دیود سه فاز
- حداکثر ولتاژ گیت امیتر 20 ولت
- تلفات هدایتی 180 وات
- برند فوجی الکتریک (Fuji Electric)
کاربرد 7MBR25SA120
- اینورتر و درایوهای صنعتی
- UPS
- درایورهای Servo جریان مستقیم DC و جریان متناوب AC
نقد و بررسی‌ها
هیچ دیدگاهی برای این محصول نوشته نشده است.